三星(SSNLF.US)跑步前进 力争“东山再起” 正缩小英伟达(NVDA.US)AI芯片供应“赛跑”差距

　　三星迎头赶上，开始在缩小与竞争对手SK海力士的差距方面取得进展。

　　智通财经APP获悉，三星电子（SSNLF.US）在开发对人工智能市场至关重要的存储芯片方面遭遇一系列挫折后，开始在缩小与竞争对手SK海力士的差距方面取得进展。据知情人士透露，这包括赢得了人工智能巨头英伟达(NVDA.US)期待已久的一款名为HBM3的高带宽存储芯片的批准，此外，该公司还预计下一代HBM3E将在两到四个月内获得批准。

　　在历经几个月挫折之后，三星终获进展，此前该巨头曾经历开发失误、规模较小的SK海力士在行业中脱颖而出并取得巨大领先地位。从历史上看，凭借其规模和工程专业知识，韩国最大的公司三星一直是内存芯片市场领导者，却不寻常地被SK海力士迎头赶了上来。此外，鉴于该公司在HBM领域举步维艰，三星在5月采取了极不寻常的举措，更换了半导体部门负责人。

　　Tirias Research分析师吉姆·麦格雷戈(Jim McGregor)表示，“我们从未见过三星处于这种境地，业界和英伟达比任何人都更需要三星，但他们需要三星全力以赴。”

　　三星拒绝对任何具体的合作伙伴发表评论，但表示总体而言，公司正与客户密切合作，当前测试进展顺利。

　　三星电子此次取得的成果很可能是为将人工智能产品需求资本化。据摩根士丹利称，HBM市场预计将从去年的40亿美元增至2027年的710亿美元。三星越快得到人工智能加速器领导者英伟达的支持，便能从这一热潮中获得越多收入。

　　摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在本月的一份研究报告中写道,“投资者对三星的看法可能很快就会改变，情况正在迅速改善。”

　　这两位分析师在报告中将三星列为首选股票，他们认为，到2025年，三星的HBM市场份额至少会增加10%，收入将增加约40亿美元。尽管在该领域仍将落后于SK海力士，但这一进展可能会改变投资者的看法，股价也将随之提振。

　　三星将于本周三公布第二季度财报，届时其HBM战略可能面临质疑。目前尚不清楚该公司将提供多少细节。

　　不过，虽然三星似乎有望在11月之前获得英伟达的批准，但该公司仍在努力解决某些问题，鉴于人工智能芯片的复杂性，结果难以预测。知情人士说，其时间表有可能会滑到2025年。

　　三星落后于同行发生在该公司一个不同寻常的时期。执行董事长李在镕(Jay Y.Lee)花了数年时间与检方就贿赂和腐败指控展开斗争，与此同时，公司高层并未将HBM视为优先事项。事实上，在OpenAI于2022年底推出ChatGPT并引发对英伟达芯片的狂热需求以训练AI模型前，市场一直处在巨大的不确定性中。

　　虽然SK海力士已经准备好迎接井喷的需求，但三星仍在努力解决新芯片的复杂工程问题。HBM是由一组堆叠在一起的DRAM芯片组成的，最新一代是8个(每一层都会产生大量的热量)，随后则被装入英伟达的图形处理单元(GPU)。GPU本身可达到100摄氏度，如果没有适当的散热和冷却材料，整个堆栈将面临熔化的风险。

　　Bloomberg Intelligence分析师杰克·西尔弗曼(Jake Silverman)表示:“随着这些层数的增加，开发合理产量将变得更加困难。问题在于散热：运行发热是因为这是堆叠的DRAM，它非常接近GPU，而GPU的运行温度更高。”

　　一位不愿透露姓名的知情人士称，三星在解决这种所谓的热耦合问题上遇到了麻烦。今年5月，该公司采取了戏剧性的行动:宣布半导体部门负责人Kyung Kye-hyun将离职，由Jun Young-hyun接替他的位置。

　　Jun于2000年加入三星，并帮助开发了DRAM和闪存芯片。现年63岁的他召开了一系列会议，探讨技术细节，致力于找到问题的根本原因。据一位知情人士透露，在一次持续数小时不间断的会议上，他哀叹HBM可能是一个更广泛问题的一部分。

　　然而，不仅在内存芯片技术上具有落后的风险，三星在创新的紧迫性方面也有可能落后。为促进合作，他重组了专注于HBM的团队，并任命了一位新负责人。

　　三星使用一种称为热压缩不导电膜(TC-NCF)的热管理策略来隔离DRAM的每一层。而SK海力士则率先开发出了改善散热和产量的替代方案。

　　然而，三星选择坚持使用TC-NCF并对其进行改进，并未选择其他方式。一位公司发言人表示，TC-NCF是一项“经过验证的技术”，将用于未来的产品中。

　　知情人士说，最终，该公司修改了HBM的设计，以解决热量和电力消耗问题。这使得HBM3获得了英伟达的批准。

　　三星表示，Jun自上任以来，一直将公司集体商议和坚持解决问题的文化放在首位。该公司补充说，“我们的HBM产品没有与热量和电力消耗相关问题”，也没有针对特定客户“进行设计更改”。

　　三星的“救命稻草”可能在于，人工智能大部分增长都在未来。微软(MSFT.US)、谷歌母公司Alphabet(GOOGL.US)、亚马逊(AMZN.US)、苹果(AAPL.US)和Meta Platforms(META.US)等科技巨头都在斥巨资以发展自身能力。

　　根据三星季度报告的细节，该公司从去年下半年开始生产HBM3芯片。像谷歌这样自己设计芯片功能的公司，预计在今年的大部分时间里将继续使用HBM3。三星已开始向英伟达供应HBM3，用于其H20芯片，这是一款为中国定制的产品，以满足美国的出口管制。

　　至于HBM3E，因为英伟达将SK海力士芯片与自己的H200芯片配对，该技术今年首次进入市场。Sanford C. Bernstein分析师在7月份的一份报告中表示，到2025年，英伟达几乎所有的产品都将继续使用HBM3E，而其芯片竞争对手甚至在2026年也将继续使用。

　　以马克·李(Mark Li)为首的分析师写道:“三星姗姗来迟，但HBM3E的窗口仍将为尽力追赶的三星所保留。”

　　美光科技(MU.US)今年早些时候宣布，英伟达已批准将其HBM3E芯片用于该公司的人工智能设备。在规模上历来落后于韩国竞争对手的美光，如今声称在一些内存制造和产品推出领域处于领先地位，这进一步表明三星的主导地位正在受到侵蚀。

　　然而，三星拥有的一个显著优势是其财务资源和生产能力。一旦达到英伟达的批准标准，三星便能迅速提升产量，解决阻碍英伟达和其他人工智能倡导者的短缺问题。

　　Bloomberg Intelligence的Silverman表示，“美光和海力士还没有能力支撑整个市场，”他补充说，英伟达首席执行官黄仁勋“希望鼓励他们”，因为英伟达需要更多供给。

　　SK海力士并没有放弃，更是罕见地从其知名度更高的竞争对手那里抢占了风头，自2023年初以来，该公司股价飙升了150%以上，是三星股价表现的三倍多。

　　SK海力士上周表示，目前正加快HBM3E产品的生产，以期实现超300%的增长。该公司还表示，计划于本季度量产下一代12层HBM3E芯片，并在第四季度开始向一家客户供货，这或许表明英伟达的认证即将到来。

　　与此同时，在Jun的领导下，三星正在取得进步。它开发了自己的12层HBM3E技术，并正在努力获得英伟达对这一代芯片以及8层HBM3E的批准。这也是未来市场前景的一个迹象。

　　摩根士丹利的分析师写道:“据我们估计，到2027年，这将是一个价值710亿美元的营收机会，而且还在不断增长，这在两年前是不存在的。对三星来说，关键的争论在于，它能否成为英伟达之后强有力的第二供应商。”